Çinli araştırmacılar, gelecek vaat eden yarı iletken malzeme galyum nitrürdeki (GaN) kusurların başlıca nedenini keşfettiler. GaN, gelişmiş elektroniklerin geliştirilmesi için kritik önem taşıyor.
Kaynak: DonanimHaber
DEVAMINI OKU: Çin’in üçüncü nesil yarı iletken atılımı dengeleri değiştirebilir
